在技术密集型的半导体行业，研发投入与知识产权储备是企业核心竞争力的直接体现。全球功率半导体巨头（如英飞凌、意法半导体）均拥有数万项专利，构筑起严密的技术壁垒，长期垄断高端市场。长晶科技作为国产功率半导体后发企业，深知 “技术自主可控” 的重要性，自成立之初即确立 “研发驱动、创新引领” 战略，持续高强度投入研发，大力推进知识产权布局，截至 2025 年底，累计获得233 项授权专利（含 78 项发明专利）、113 项集成电路布图设计专有权、48 项软件著作权，知识产权总量近 400 件，构筑起坚实的技术护城河，为公司在激烈的市场竞争中脱颖而出提供核心支撑。
长晶科技始终将研发投入置于战略优先地位，研发费用占营收比例连续五年超 15%，2025 年研发费用突破 2 亿元，远超国内同行平均水平。公司构建起 “总部研发中心 + 工艺研发部 + 产品研发部 + 可靠性实验室” 的四级研发体系，研发团队规模超 200 人，其中博士、硕士占比超 40%，核心研发人员均拥有 10 年以上功率半导体行业经验，来自长电科技、中芯国际、英飞凌等国内外知名企业，具备丰富的工艺研发、产品设计与可靠性测试经验。
研发投入聚焦三大核心方向：
先进工艺研发：重点投入 SGT、Trench、IGBT、FRD、JBS 等核心工艺研发与迭代，打破国际巨头工艺垄断，提升产品性能与性价比；
高端产品开发：聚焦车规级、工业级、新能源用高端 MOSFET、IGBT、电源管理 IC 开发，精准匹配高景气赛道需求；
可靠性技术研究：投入车规级与工业级产品可靠性技术研究，提升产品稳定性、耐久性与抗干扰能力，满足严苛应用场景要求。
高强度研发投入带来高质量创新成果：2025 年，公司完成功率器件新产品固化量产近百颗，IC 新产品量产超 400 款，完成 CSP G2、SGT G2/G3、IGBT G3 等工艺平台迭代升级，技术创新效率持续提升。
长晶科技构建起 **“专利 + 集成电路布图设计 + 软件著作权” 三位一体 ** 的全方位知识产权布局体系，覆盖工艺、产品、设计、测试全链条，全面保护创新成果，防范知识产权风险。
专利布局：核心工艺与产品全覆盖，发明专利占比超 30%
专利是半导体企业技术壁垒的核心，长晶科技累计获得233 项授权专利，其中发明专利 78 项（占比 33.5%），实用新型专利 155 项，覆盖SGT 工艺、Trench 工艺、MOSFET 结构、IGBT 模块、电源管理 IC 电路、封装结构等核心领域。工艺专利：聚焦 SGT、Trench、IGBT 等先进工艺，掌握核心工艺专利，打破国际垄断，保障工艺自主可控；
产品专利：覆盖车规级、工业级、新能源用 MOSFET、IGBT、电源管理 IC 等产品，保护产品结构与性能设计，防范侵权风险；
封装专利：涵盖 CSP、TOLL、DFN 等高端封装结构专利，提升产品封装可靠性与性价比。
集成电路布图设计专有权：保护芯片设计核心成果
集成电路布图设计是芯片设计的核心成果，长晶科技累计获得113 项集成电路布图设计专有权，覆盖 MOSFET、IGBT、电源管理 IC 等全品类芯片设计，全面保护芯片布局、电路设计与拓扑结构，防止竞争对手抄袭，提升产品差异化竞争力。
软件著作权：支撑测试与控制系统自主可控
长晶科技在产品测试、生产控制、可靠性分析等领域开发多款专用软件，累计获得48 项软件著作权，实现测试软件、控制系统软件自主可控，降低对第三方软件依赖，提升生产效率与测试准确性，同时形成差异化竞争优势。
长晶科技注重知识产权与市场需求深度融合，推动专利技术快速转化为量产产品，实现商业价值最大化，知识产权转化率超 80%，远超行业平均水平。
SGT 工艺专利→车规级 MOSFET 产品：基于自主研发的 SGT 工艺专利，开发 AD‑CJAN1R1SN04AH 等系列车规级 MOSFET，核心性能达国际一流水平，获 “年度影响力汽车芯片” 大奖，进入主流车企供应链，2025 年该系列产品营收超 2 亿元；
Trench 工艺专利→工业级 MOSFET 产品：基于 Trench 工艺专利，开发低损耗、高稳定性工业级 MOSFET，适配变频器、伺服系统、工业电源等高可靠性场景，2025 年该系列产品营收超 3 亿元；
电源管理 IC 电路专利→消费电子芯片产品：基于电源管理 IC 电路专利，开发快充、锂电池保护、智能家居用电源管理 IC，为国内头部消费电子品牌供货，2025 年该系列产品营收超 5 亿元。
在加大研发与知识产权布局的同时，长晶科技高度重视知识产权保护与风险防控，构建起 “事前预警、事中保护、事后维权” 的全链条知识产权保护体系。
事前预警：建立专利数据库，开展侵权风险排查
建立全球功率半导体专利数据库，定期开展侵权风险排查，在产品研发初期即规避侵权风险，确保研发方向不触碰竞争对手专利壁垒；同时，跟踪国际巨头专利动态，提前布局规避设计，防范专利诉讼风险。
事中保护：严格保密制度，保护核心技术
建立严格的技术保密制度，与核心研发人员签订保密协议，明确保密责任与违约后果；对核心工艺、设计文件、测试数据等敏感信息进行分级管理，限制访问权限，防止核心技术泄露。
事后维权：主动出击，维护自身知识产权权益
若发现竞争对手侵犯公司知识产权，坚决采取法律手段维权，保护自身合法权益；同时，积极应对竞争对手提起的专利诉讼，依托完善的专利布局与专业法律团队，维护公司利益。
长晶科技已制定长期知识产权战略规划，未来将聚焦第三代半导体（GaN/SiC）、先进封装、车规级可靠性技术三大核心领域，持续加大研发投入与知识产权布局力度。短期（1—2 年），新增专利申请 200 件，其中发明专利 80 件，重点布局第三代半导体与车规级工艺专利；中期（3—5 年），累计专利数量超 600 件，发明专利占比提升至 40%，在第三代半导体领域形成核心专利壁垒；长期（5—10 年），累计专利数量超 1000 件，发明专利占比超 50%，成为全球功率半导体领域知识产权布局领先企业，构筑起难以逾越的技术护城河。
长晶科技的研发投入与知识产权布局，本质是国产功率半导体从 “跟随” 到 “引领” 的战略转型。通过持续高强度研发与全方位知识产权布局，长晶科技打破国际巨头技术垄断，掌握核心工艺与产品技术，实现从 “低端替代” 到 “高端突破” 的跨越，在车规级、工业级、新能源等高附加值市场站稳脚跟，成为国产功率半导体创新引领者。
综上，研发驱动创新、知识产权构筑壁垒，是长晶科技快速崛起的核心密码。未来，随着研发投入持续加码与知识产权布局不断完善，长晶科技将进一步强化技术护城河，提升核心竞争力，在全球功率半导体市场占据重要地位，为中国半导体产业自主可控贡献核心力量。
长晶科技代理商|长晶科技一级代理商-长晶科技公司以制造种类广泛的高性能的半导体产品的研发、生产与销售，产品涵盖分立器件、电源管理 IC 及晶圆，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域 而著称,深圳欧创达半导体有限公司作为亚太区杰出的线上优秀合作伙伴长晶科技一级代理商|长晶科技代理商，现大力支持中国地区在线样片申请及批量现货购买服务。
